Новітня плазмова технологія виготовлення анілоксового валу

Новітня плазмова технологія виготовлення анілоксового валу

Розроблена плазмова технологія є загальним технологічним процесом, який складається з іонного очищення, полірування та техніки нанесення покриття анілоксового валу (рис.1). Ця технологія збільшує адгезію поверхні анілоксового валу та попереджує його забруднення. Осадження бінарних хімічних сполук (таких як нітридів, оксидів, карбідів) збільшує міцність та стійкість до корозії анілоксового шару та збільшує його вологостійкість. Спеціальна конструкція вакуумної камери (рис.2), дозволяє переміщати анілоксовий вал від зони нагріву до зони плазмової очистки, а потім в зону нанесення, де обертання циліндричного магнетрону формує покриття.

Основні технічні характеристики:

Система іонної очистки Магнетрона система
Енергія 300 – 2000 еV Активуючий газ азот, кисень
Робочий газ аргон Робочий газ аргон
Тиск (6 – 12) x 10-4 Torr Тиск (2 – 8) x 10-3 Torr
Діаметр 10 – 40 мм Sputtering TiN rate 0,6 нм/с

Застосування:

  • поліграфічна індустрія;
  • друк на папері та текстильних матеріалах;
  • виготовлення упаковок для харчової індустрії;
  • виготовлення анілоксових валів широкого діапазону діаметрів та довжин.

Розробник:

Відділ газової електроніки Інституту фізики НАН України (Гончаров О.А.)

Контактна інформація:

тел. +380 44 525-98-41
ел. пошта: fesenko@iop.kiev.ua