Експериментально підтверджена концепція розсіювання носіїв струму на поверхні як дифракціїї на двовимірній поверхневій решітці провідника.
Експериментально показано, що характер взаємодії носіїв з поверхнею визначається топологічними особливостями поверхні Фермі металу, кристалографічною орієнтацією поверхні твердого тіла, ступенем порядку, хімічною природою адсорбованої плівки, а також трансляційною симетрією поверхневої двомірної структури.
Розроблено методи вивчення характеристик поверхневого розсіяння, що базуються на гальваномагнітних розмірних явищах: статичному скін-ефекті, поперечному магнітоопорі і осциляціях Зондгеймера.
Експериментально вивчений вплив адсорбційних передстанів адсорбованих молекул у формуванні впорядкованих субмоношарових атомарних плівок водню і дейтерію на поверхні тугоплавких металів. Розроблена феноменологічна модель формування субмоношарових плівок з участю адсорбційних передстанів.
Вивчено особливості впливу реконструкції поверхні, спричиненою адсорбцією субмоношарових домішкових плівок, на поверхневе розсіювання носіїв струму в металах (на прикладі адсорбованого дейтерію на поверхні (001)W).
Eкспериментальнs дослідженz впливу впорядкованих адсорбованих субмоношарів на характеристики кратних осциляцій Зондгеймера в матеріалі підклади показали, що характер поверхневого відбивання різних груп носіїв з поверхні Фермі може змінюватися по різному при формуванні однієї і тієї ж адсорбованої структури.
Методом оберненої фотоелектронної спектроскопіїї і КРП одержані дані про трансформацію електронної поверхневої структури незаповнених електронних станів тугоплавких металів при адсорбції субмоношарових плівок рідкоземельних елементів.
Методом цифрової дифракції повільних електронів показано, що на атомно-гладкій, щільновпакованій грані (110)Mo адсорбрція водню призводить до буклювання поверхні, в той час як на поверхні (110)W відбувається лише поверхнева релаксація. Знайдено повний набір параметрів реконструкції і релаксації поверхонь.
Всановлено, що Кондо-розсіювання на окремих магнітних адатомах Tb, адсорбованих на поверхні Mo(110) при температурі рідкого гелію, є найімовірнішим механізмом поверхневого розсіювання носіїв струму при малих субмоношарових покриттях адсорбату. При більших субмоношарових покриттях домінуючим є дифракційний механізм розсіювання на решітках адсорбату с(1×3) та гексагональній щільно упакованій (ГЩУ).
Встановлено, що розсіювання носіїв стуму на поверхні може призводити до переходів між об’ємною і поверхневою електронними підсистемами, зокрема шляхом електронно-діркових перекидань. Показано, що дзеркальність розсіювання носіїв струму на поверхнях W(110) і Mo(110), вкритих впорядкованими моношарами водню (дейтерію), є більшою, ніж на цих же атомно-чистих поверхнях. Ефект полягає у блокуванні переходів між поверхневими та об’ємними електронними станами завдяки викликаній адсорбцією зміні поверхневої електронної структури. Показано, що в цьому випадку характер поверхневого розсіювання залежить від топології Фермі-поверхні металу і Фермі-трубок поверхневих електронних станів.
Показано, що електронний транспорт у наноплівках Bi(111), вирощених на поверхні Si(111), відбувається через (спін-розщеплені) поверхневі електронні стани. Визначено морфологічні параметри: шорсткість та ширину терас поверні Bi(111).
Визначені рухливість, концентрація і характерні часи розсіювання електронів і дірок ПЕС Bi(111) для атомночистої поверхні і при різних покриттях магнітних (Co, Fe, Tb, Cr) і немагнітних (Bi, Pb, Sb) адатомів. Показано, що модель збереження чи локального порушення інверсійної симетрії часу при такому розсіюванні є занадто спрощеною для описання реальних систем. У той же час перерозподіл заряду між адсорбатом і поверхнею є дуже важливим чинником.
Показано, що для епітаксійного росту на поверхні Si(557) добре впорядкованих віцинальних плівок вісмуту критичним є попереднє нанесення субмоношарових вісмутових шарів змочування. Знайдено, що на поверхні таких плівках домінуючою є кристалографічна площина Bi(110).
Розроблена технологія магнетронного напорошення декоративних, захистних та багатошарових оптичних теплозберігаючих покриттів на скло великого формату, технологія напорошення сонячних абсорберів та технологія йонно-плазмової очистки скла.
Показано, що області дрейфу заряджених частинок між джерелом іонів із замкненим електронним дрейфом та мішенню, через які проходять сепаратриси магнітного поля, є колекторами електронів, що рухаються через ці області до мішені. Електричне поле, яке виникає в результаті заряджання мішені іонними пучками, призводить до розвитку в просторі дрейфу додаткового розряду магнетронного типу, електрони з якого частково компенсують заряджання і плаваючий потенціал мішені.