Розроблено спосіб виготовлення кремнію n-типу з підвищеною стійкістю рекомбінаційних параметрів до дії гамма і електронного опромінення шляхом легування домішкою олова в певних пропорціях з головними технологічними домішками.
Вперше показано позитивний вплив легування свинцем на радіаційну стійкість n-кремнію по часу життя нерівноважних носіїв заряду без впливу на електропровідність.
Аналітично обґрунтовано та експериментально підтверджено можливість накопичення вторинних радіаційних дефектів в кремнії при температурах, вищих за температуру їх повного відпалу. Зокрема, встановлено роль процесів генерації та відпалу в накопиченні дефектів, а також вплив температури та інтенсивності опромінення на ці процеси.
Виявлено, що ефективність генерації вільних вакансій в кремнії практично не залежить від температури опромінення при температурах, вищих за кімнатну. Цей ефект пояснено впливом фононів на анігіляцію і розпад пар Френкеля, утворених радіацією в кремнії.
Вивчено вплив дефектів дивакансія-кисень на рекомбінаційні властивості n-кремнію після опромінення та відпалу, що може бути використано для вдосконалення радіаційної технології керування швидкодією електронних приладів на основі кремнію.