експериментально встановлено характер температурної залежності ефективності генерації вільних вакансій (λ_V) в інтервалі температур від 125 до 630 К при електронному опроміненні n-Si.
експериментально виявлено можливість накопичення вторинних радіаційних дефектів при температурах, вищих за температуру їх повного відпалу. Встановлено, що кінетика накопичення вторинних радіаційних дефектів при високотемпературному опроміненні визначається ефективністю відпалу, в той час як ефективність утворення є незмінною.
показано, що радіація здатна прискорювати відпал комплексів кисень-вакансія внаслідок іонізації кристала.
встановлено, що зміна часу життя нерівноважних носіїв заряду після відпалу в діапазоні 180–380 С в опроміненому n-Si зумовлена утворенням комплексу V2O. Показано, що цей дефект визначає рекомбінаційні властивості кремнію завдяки більшій заселеності електронами, ніж VO.