Laboratory <br/>of Radiation Technology | IOP
Laboratory
of Radiation Technology
Laboratory <br/>of Radiation Technology | IOP
Head of Department

Dr.Sc. (Phys.-Math.)
Vladimir B. Neymash


Created at 2010.

Study of the high energy radiation influence on the properties of materials. Development of methods for the use of the radiation effect to modify semiconductors, metals and polymers. Studying the mechanisms of low-temperature crystallization of amorphous silicon. The development of new production technologies of nanomaterials for solar cells.

Main facilities and experimental methods: linear electron accelerators on 1MeV and 4 Mev (beam current up to 4 A); equipment for isotopic gamma irradiation (activity up to 4800 Ku); equipment for the deposition and heat treatment under vacuum; equipment for cutting, mechanical and chemical treatment of semiconductor crystals; equipment for optics and IR-spectroscopy; photoconductivity and Hall effect measurement methods for temperature range 4 – 300K.

Research:

  • Effect of radiation on the properties of semiconductors and heterostructures. Physical principles of radiation technologies for semiconductor electronic devices.
  • Effect of radiation on the properties of amorphous and nanocrystalline metallic alloys. Physical principles of radiation technology of high-frequency magnetic.
  • Properties of amorphous alloys and nanocomposites based on silicon. Physical principles of semiconductor manufacturing technology materials? Manageable gap for photovoltaic energy conversion of solar radiation.
  • Radiation-chemical transformations: radiation polymerization, radiation-chemical synthesis, radiation crosslinking of polymers and radiation vulcanization of rubber, graft sopolymeryzatsyya etc.
  • Test equipment, materials and coatings under simultaneous effects of hard radiation, aggressive or gaseous medium and high vacuum or cryogenic temperatures.

Technological developments:

  • Radiation management technology parameters of semiconductor electronic devices. New technological procedures.
  • Radiation technology of domain structure in amorphous and nanocrystalline alloys for high-cores.
  • Radiation-thermal technology of nanocomposite materials for photovoltaic cells (solar cells).
  • Advances in technology modification properties of substances and materials by radiation chemistry.
  • Ionization detector thermoelectronic excitation for gas chromatographs.
  • Finding new applications applications of ionizing radiation.

Services and Production:

  • Irradiation with electrons, gamma rays and X-rays.
  • Diagnosis materials.
  • Radiation control.
  • Radiation Control parameters of semiconductor materials and electronic devices.
  • Production of high magnetic and inductive elements.
  • Flip discoloration of transparent materials and refining minerals jewelry.
  • Production of thin films of metals, insulators and semiconductors. Formation of heterostructures.
  • Radiation modification of organic substances and materials.
  • Mechanical, chemical and thermal treatment of crystals.
  • Low-temperature sterilization.
  • Kras'ko M.M. Influence of Tin Impurity on Recombination Characteristics in γ-Irradiated n-Si // Ukr. J. Phys. 2012, Vol. 57, N 11, p.1162-1168.
  • Povarchuk V.Yu., Nosenko V.K., Kraitchinskii A.M., Neimash V.B., Kras’ko M.M., Maslov V.V. Influence of γ-Irradiation on Initial Magnetic Permeability of Amorphous and Nanocrystalline Fe−Si−B-Based Alloys // Ukr. J. Phys. 2012, Vol. 57, N 3, p.345-349.
  • Крайчинский А.Н., Красько Н.Н., Колосюк А.Г., Войтович В.В., Петруня Р.В., Поварчук В.Ю., Руденко Р.Н. Механизм ускоренного отжига А-центров в n-Si при высокотемпературном импульсном электронном облучении // IX-я международная конференция «Кремний 2012» 9-13 июля 2012р., Санкт-Петербург, С. 173-174.
  • Войтович В.В., Руденко Р.Н., Красько Н.Н., Колосюк А.Г., Крайчинский А.Н., Юхимчук В.О., Войтович М.В., Хацевич И.М. Влияние олова на процессы формирования нанокристаллического кремния в тонких пленках аморфной SiOx матрицы // IX-я международная конференция «Кремний 2012» 9-13 июля 2012р., Санкт-Петербург, С. 281-282.
  • Руденко Р.М., Макара В.А., Войтович В.В., Красько М.М., Колосюк А.Г., Поварчук В.Ю., Юхимчук В.О. Вплив домішки олова на структурні властивості тонко плівкового аморфного кремнію // 3-я міжнародна конференція «Сучасні проблеми фізики кондесованого стану» 10-13 жовтня 2012р., м. Київ., С. 52.
  • Крайчинский А.М., Красько М.М., Колосюк А.Г., Войтович В.В., Петруня Р.В., Поварчук В.Ю., Руденко Р.Н. Особливості відпалу А-центрів у n-Si при високотемпературному електронному опроміненні // Десята відкрита наукова конференція Інституту прикладної математики та фундаментальних наук (ІМФН), 17-18 травня 2012р., м. Львів, С. D2-D3.
  • V.B.Neimash, V.O.Yuhymchuk, V.V.Voytovich, A.G.Kolosyuk, S.Yu.Larkin, V.A.Makara, A.N.Kabaldin. The structure and optical properties of amorphous-crystalline nanocomposite Si-C-Sn // European Materials Research Society (EMRS): Fall Meeting 2012, September 17-21, 2012. Warsaw, Poland, A-XV1.
  • Rudenko R.M., Kras’ko M.M., Voitovych V.V., Kolosyuk A.G., Povarchuk V.Yu., Kraichynskyi A.M., Yukhymchuck V.O., Bratus’ V.Ya., Voitovych M.V., Zaloilo I.A. Behavior of Hydrogen During Crystallization of Thin Silicon Films Doped with Tin // Ukr. J. Phys. 2013, Vol. 58, N 12, p.1165-1170.
  • Rudenko R.M., Voitovych V.V., Kras’ko M.M., Kolosyuk A.G., Kraichynskyi A.M., Yukhymchuk V.O., Makara V.A. Influence of High Temperature Annealing on the Structure and the Intrinsic Absorption Edge of Thin-Film Silicon Doped with Tin // Ukr. J. Phys. 2013, Vol. 58, N 8, p.769-772
  • Неймаш В., Ларкін С., Порошин В., Кабалдін О. , Новіков Є., Носенко В. СПОСІБ ОТРИМАННЯ ПЛІВОК АМОРФНО-КРИСТАЛІЧНОГО НАНОКОМПОЗИТУ НА ОСНОВІ КРЕМНІЮ ДЛЯ СОНЯЧНИХ ЕЛЕМЕНТІВ. Патент на корисну модель № 85049 по заявці u 2013 05318 від 24.04.2013, опубл. 11.11.2013.
  • V.B. Neimash, V.M. Poroshin, P.Ye. Shepeliavyi, V.O. Yukhymchuk, V.V. Melnyk, V.A. Makara, A.G. Kuzmich. Tin doping effect on crystallization of amorphous silicon obtained by vapor deposition in vacuum. Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. 16, N4, Р. 331-335. (2013).
  • Ю. А. Клименко, О. В. Семенив, А. В. Беспалова, Ю. В. Пруцко, Ю. А. Малетин, Н. Г. Стрижакова, С. А. Зелинский, С. А. Тычина, Д. М. Дробный, В. Б. Неймаш, В. Н. Порошин, В. Ю. Поварчук. РАДИАЦИОННАЯ ВОСПРИИМЧИВОСТЬ СУПЕРКОНДЕНСАТОРОВ И ПЕРСПЕКТИВЫ ИХ КОСМИЧЕСКОГО ПРИМЕНЕНИЯ Космічна наука і технологія. 19, №3, 47-60 (2013).
  • V.B. Neimash, V.M.Poroshin, O.M.Kabaldin, P.E.Shepelyaviy, V.O.Yukhymchuk, V.A.Makara, S.U.Larkin. , Microstructure of Thin Si−Sn Composite Films. Ukr. J. Phys. 58, 865 (2013).
  • V. Neimash, V. Poroshin, P. Shepeliavyi, V. Yukhymchuk, V. Melnyk, A. Kuzmich, V. Makara, A. Goushcha . Tin Induced a-Si Crystallization in Thin Films of Si-Sn Alloys. J.Appl.Phys. -2013.-V.113. no12. P.213104-1 – 21314-6.
  • VV Voitovych, RM Rudenko, AG Kolosiuk, MM Krasko, VO Juhimchuk, MV Voitovych, SS Ponomarov, AM Kraitchinskii, V Yu Povarchuk, VA Makara Effect of tin on the processes of silicon-nanocrystal formation in amorphous SiO x thin-film matrices // Semiconductors. - 2014, V. 48 (1), P. 73-76.
  • M Kras' ko, A Kraitchinskii, A Kolosiuk, V Voitovych, R Rudenko, V Povarchuk Radiation Damage of Carrier Lifetime and Conductivity in Sn and Pb Doped n-Si // Solid State Phenomena 205 (2014), P. 323-328.
  • Neimash V.B., Goushcha A.O., Shepeliavyi P.E., Yukhymchuk V.O., Dan’ko V.A., Melnyk V.V., Kuzmich A.G. Mechanism of Tin-Induced Crystallization in Amorphous Silicon // Ukr. J. Phys. 2014, Vol. 59, N 12, P. 1168-1176.
  • OP Gaponova, AG Kolosiuk RESEARCHES OF DIFFUSION PROCESSES IN POWDER MATERIALS AND THEIR ROLE IN STRUCTURE FORMATION // Ukr. J. Phys. 2014, Vol. 59, N 10, P. 1013-1019.
  • Пат. 101855 Україна, МПК H01L 21/02. Спосіб отримання радіаційностійкого кремнію для електронних приладів / Красько М.М., Неймаш В.Б., Крайчинський А.М., Войтович В.В., Колосюк А.Г., Поварчук В.Ю., - № u 2014 13859 - заявл. 24.12.2014 ; опубл. 12.10.2015. Бюл. № 19.
  • V.B. Neimash, A.O. Goushcha, P.Y. Shepeliavyi, V.O. Yukhymchuk, V.A. Danko, V.V. Melnyk, A.G. Kuzmich Self-sustained cyclic tin induced crystallization of amorphous silicon // Journal of Materials Research 2015, V. 30, I. 20, , pp 3116-3124
  • В.Б.Неймаш, М.Г.Соснин, В.И.Шаховцов, В.Л.Шиндич. Дефектообразование в n-кремнии с примесью гадолиния. ФТП, 1981, т.15, в.4, с.786-788.
  • Р.С.Антоненко, В.Б. Неймаш, М.Г.Соснин, В.И.Шаховцов, В.Л.Шиндич. Дефектообразование в р-кремнии с примесью иттербия. Вестник атомной науки и техники. 1982, в.4(23), с.38-39.
  • *В.Б.Неймаш, М.Г.Соснин, Б.М.Туровский, В.И.Шаховцов, В.Л.Шиндич. Дефектообразование при электронном облучении р-кремния с примесью олова. ФТП, 1982, -16, -5, 901-903.
  • В.Б.Неймаш, В.М.Сирацкий, В.И.Шаховцов, В.Л.Шиндич, С.Н.Чесноков. Термическое дефектообразование в кремнии с примесью гадолиния. УФЖ, 1987, т.32, №10, с.1550-1552.
  • Ф.А.Заитов, Ю.М.Добровинский, В.Б.Неймаш, В.М.Цмоць,, В.И.Шаховцов, В.Л.Шиндич. Рекомбинация в Si после термообработки и гамма-облучения. ФТП.-1987, т.21, в.2082-2084.
  • В.Б.Неймаш, В.И.Шаховцов, В.Л.Шиндич. Внутренние геттеры и радиационное дефектообразование в Si. Препринт №25 Института физики АН УССР. 1987. 55 с.
  • M.G.Milvidsky,V.B. Neimash, V.M.Siratskii, M.G.Sosnin, V.M. Tsmots, V.I. Shakhovtsov, V.L., Shindich. Peculiarities of behavior of irradiated heat treated Si. Material Sci.Forum, v.38-41, pt.1. p.165-170 (Proc. of the 15 Intern. Conf. on defects in semicond. ICDS-15, August 22-26, 1988, Budapest, Hunhary, Ed. by G.Ferenczi).
  • В.Б.Неймаш, М.Г.Соснин, В.И.Шаховцов, В.Л.Шиндич, И.И.Ясковец. Рекомбинация в n-кремнии при термообработке и облучении, ФТП, 1988, -22, -2, 206-209.
  • В.Б.Неймаш Влияние термообработки на радиационное дефектообразование и деградацию электрофизических параметров кремния под облучением. \\Автореферат канд. дисс. Киев. 1988. Институт физики АН Украины. 12с.
  • В.Б.Неймаш, В.М.Сирацкий, М.Г.Соснин, В.И.Шаховцов, В.Л.Шиндич. Влияние термодоноров на радиационное дефектообразование в кремнии. \\ ФТП. 1989, т.23, №2, с.250-252.
  • А.Н.Крайчинский, В.Б.Неймаш, Т.Р.Саган, В.М.Сирацкий, В.М.Цмоць,В.И.Шаховцов, В.Л.Шиндич. Радиационное дефектообразование в Si, термообработанном при 1050С. УФЖ, 1989, т.34, №7, с.1071-1074.
  • Neimash, V.M.Siratskii, V.I. Shakhovtsov, V.L., Shindich. Influence of thermal defects on the radiation defects crеation in Si. // Радиационное материаловедение. 1990. Т.9, с.104-108 (Труды Международной конференции по радиационному материаловедению. Алушта. 22-25 мая 1990 г.)
  • В.В.Емцев, Ю.Н.Далуда, В.И.Шаховцов, В.Л.Шиндич, В.Б.Неймаш, Р.С.Антоненко, К.Шмальц. Кислородосодержащие термодоноры, образующиеся в кремнии при «горячем облучении». \\ФТП, 1990, т.24, в.2, с.374-377.
  • В.Б.Неймаш, Т.Р.Саган, В.М.Цмоць,, В.И.Шаховцов, В.Л.Шиндич, В.С.Штым. Магнитно упорядоченные кислородосодержащие дефекты в кремнии. В сб. Перспективные материалы твердотельной электроники. Твердотельные преобразователи в автоматике и робототехнике. (МТЭ и ТП-90). Минск, 1990, ч.1, 39-40.
  • А.Абдураимов, С.Занайбидинов, В.Б.Неймаш, А.Тураев, В.И.Шаховцов, В.Л.Шиндич. Влияние примеси гадолиния на тензочувствительность кремниевых диодов Шоттки. \\Материалы ХІІ Всесоюзной конференции по физике полупроводников. Киев, 23-25 октября 1990, ч.1, с.39-43.
  • *В.Б.Неймаш, Т.Р.Саган, В.М.Цмоць,, В.И.Шаховцов, В.Л.Шиндич. Способ получения кремниевых диодов. Авторское свидетельство Госкомизобретений №1819064 от 11.10.1992, заявка №4857232, приоритет изобретения 06.08.1990.
  • В.Б.Неймаш, Т.Р.Саган, В.М.Цмоць,, В.И.Шаховцов, В.Л.Шиндич. О некоторых механизмах влияния предварительной термообработки на поведение параметров кремния под облучением. ФТП, 1991, т.25 №11, с.1857-1863.
  • V.B. Neimash, T.R. Sagan, V.M. Tsmots, V.M.Siratskii, M.G.Sosnin, V.I. Shakhovtsov, V.L.Shindich. On the Role of Uncontrolled sinks in Silicon under Irradiation. Phys. Stat. Solidi. (a) 1991, v.123, p.K95-K100.
  • V.B. Neimash, T.R. Sagan, V.M. Tsmots, V.M.Siratskii,V.I. Shakhovtsov. Intrinsic gettering of radiation defects in Si caused by high-temperature oxygen containing defects that. Solid State Phenomena 1991, v.19-20, p.87-94.
  • В.Б.Неймаш, Т.Р.Саган, В.М.Цмоць,, В.И.Шаховцов, В.Л.Шиндич, В.С.Штым. Магнитное упорядочение кислородосодержащих термодоноров в Si. УФЖ. 1992, т.37, №3, с.437-441.
  • Kabaldin A.N. , Neimash V.B., Tsmots V.I., Voroncov V.V., Voronkova G.I. Influence of Thermodonors on the Small Scattering of Light in Silicon. Ukrainian Physical Journal. 1993, v.38, no.1., p.34-39.
  • Kabaldin A.N. , Neimash V.B., Yu.V. Pomosov, V.I. Shakhovtsov. Tsmots V.I., The influence of neutron irradiation on the generation of thermodonors and precipitation of oxygen in silicon at 650 0C. Sov. Phys. Semicond. 1993, v.27, no.11, p.1654-1658.
  • A.Н.Кабалдин, В.Б.Неймаш, В.М.Цмоць, В.И.Шаховцов, В.С.Штым. Особенности поведения магнитной восприимчивости в облученном кремнии. УФЖ, 1995, т.40, №.3, с.218-221.
  • A.Н.Кабалдин, В.Б.Неймаш, В.М.Цмоць, Л.И.Шпинар. Механизмы влияния термодоноров на холловскую подвижность в кремнии. УФЖ. 1995, т.40, №.10, с.1079-1082.
  • V.B. Neimash, V.C. Yanishevsky, V.M. Tsmots. Generalised model Ising Si=1 on spin net. Ukrainian Physical Journal, 1997, v.42,no.5,p.595-602.
  • В.Б.Неймаш, В.М.Сірацький, А.М.Крайчинський, О.О.Пузенко. Про деякі властивості термодонорів, що утворюються в кремнії при 530С. УФЖ. 1998, т.43, в.2, с.219-223.
  • Неймаш В.Б., Сирацкий В.М., Крайчинский А.Н., Пузенко Е.А. Электрические свойства кремния, термообработаного при 530 0С // ФТП.- 1998.- Т.32, В.9.- С.1049-1053.
  • Кустов В.Е., Неймаш В.Б., Тріпачко М.О, Пузенко О.О., Красько М.М. // Вплив преципітації домішки кисню при 1050 0C на пружні напруження в кремнії // УФЖ.- 1998.- Т.43, В.5.- С.626-629.
  • Неймаш В.Б., Крайчинский А.Н., Кабалдин А.Н., Цмоць В.М., Пузенко Е.А., Красько Н.Н. Роль микронеоднородного распределения стоков для компонентов пар Френкеля в радиационной деградации свойств монокристаллического кремния // ВАНТ.- 1999.- B.3(75).- C.40-48.
  • Неймаш В.Б., Пузенко О.О., Кабалдин А.Н., Крайчинский А.Н., Красько М.М. Про деякі особливості генерації та відпалу термодонорів в кремнії // УФЖ.-1999.- Т.44, В.8.- С.1011-1016.
  • Неймаш В.Б., Пузенко Е.А., Кабалдин А.Н., Крайчинский А.Н., Красько Н.Н. О природе зародышей для образования термодоноров в кремнии // ФТП.- 1999.- Т.33, В.12.- С.1423-1427.
  • Neimash V.B., Puzenko O.O., Kabaldin O.M., Kraichinskii A.M., Kras’ko M.M., Claeys C., Simoen E. The nature of precursors for the thermal donor formation in silicon // Solid State Phenomena.- 1999.- V.69-70.- P.351-356.
  • E. Simoen, C. Claeys, V.B. Neimash, A. Kraitchinskii, N. Krasko, O. Puzenko, A. Blondeel, P. Clauws. Deep levels in high-energy proton-irradiated tin-doped n-type Czochralski silicon // Appl. Phys. Lett.- 2000.- V.76, № 20.- P.2838-2840.
  • E. Simoen, C. Claeys, V.B. Neimash, A. Kraitchinskii, M. Kras’ko, O. Puzenko, A. Blondeel, P. Clauws, G.E.J. Koops, H. Pattyn. Tin-related deep levels in proton-irradiated n-type silicon // Proc. 2-st ENDEASD Workshop (Edited by C.L.Claeys).- Kista-Stockholm (Sweden).- 2000.- P.147-156.
  • Neimash V.B., Puzenko O.O., Kabaldin O.M., Kraichinskii A.M., Kras’ko M.M., Putselyk S., Claeys C., Simoen E. Microfluctuations of oxygen impurity concentration as a reason of accelerated oxygen diffusion in silicon // Semic. Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics.- 2000.- V.3, №1.- P.11-14.
  • Неймаш В.Б., Крайчинський А.М., Красько М.М., Пузенко О.О., Кабалдін О.М. Вплив домішки олова на генерацію й відпал низькотемпературних термодонорів в n-Si // УФЖ.-2000.- Т.45, В.3.- С.342-349.
  • V.B. Neimash, A. Kraitchinskii, M. Kras'ko, O. Puzenko, C. Claeys, E.Simoen, B. Svensson and A. Kuznetsov. Influence of tin impurities on the generation and annealing of thermal oxygen donors in czochralski silicon at 450 0C // J. Electrochem. Soc.- 2000.-V.147, № 7.- P.2727-2733.
  • Неймаш В.Б., Крайчинський А.М., Красько М.М., Пузенко О.О., Сімон Е., Клайз К., Блондiл А., Клаус П. Дефектоутворення в n-кремнії з домішкою олова при опроміненні протонами з енергією 61 МеВ // УФЖ.- 2000.- Т.45, В.9.- С.1121-1125.
  • C.Claeys, E.Simoen, V.Neimash, A.Kraitchinskii, M.Kras’ko, O.Puzenko, A.Blondeel, and P.Clauws. Tin Doping of Silicon for Controlling Oxygen Precipitation and Radiation Hardness // J.Electrochem.Soc.- 2001.- V.148, N12.-P.G738-G745.
  • E.Simoen, C.Claeys, A.M.Kraitchinskii, M.M.Kras’ko, V.B.Neimash, and L.I.Shpinar. Radiation Defects and Carrier Lifetime in Tin-Doped n-Type Silicon // Solid State Phenomena.- 2002.-V.82-84.-P.425-430.
  • Неймаш В.Б., Красько М.М., Крайчинський А.М. Генерація радіаційних і термічних дефектів у кремнії при “гарячому” електронному опромінюванні // УФЖ.- 2002.- Т.47, №1.- С.50-53.
  • V.Neimash, A.Kraitchinskii, M.Kras’ko, V.Tishchenko, V.Voitovych, E.Simoen and C.Claeys. Impact of High-Temperature Electron Irradiation on the Electrical Parameters of n-Type CZ Silicon // Proc. High Purity Silicon VII, Eds. C.L. Claeys, P. Rai-Choudhury, M. Watanabe and P. Stallhofer, The Electrochem. Soc. Ser. PV 2002-20.- 2002.- pp. 278-289.
  • В.Б.Неймаш, М.М.Красько, А.М.Крайчинський, В.В.Войтович, В.М.Попов, А.М.Поканевич, М.І.Городиський, О.М.Кабалдін, В.М.Цмоць. Вплив домішки свинцю на радіаційну стабільність монокристалів кремнію // Журнал фізичних досліджень.- 2003.- Т.7, №2.-С.184-187.
  • E.Simoen, J.M.Rafi, C.Claeys, V.Neimash, A.Kraitchinskii, M.Kras’ko, V.Tishchenko, V.Voitovych, J.Versluys, P.Clauws. Dep levels in High-Temperature 1 MeV Electron-Irradiated n-Type Czochralski Silicon // Jap. J. Appl. Phys.- 2003.-v.42, N12.-pp.7184-7188.
  • E.Simoen, C.Claeys, V.Neimash, A.Kraitchinskii, M.Kras’ko, V.Tishchenko, V.Voitovych. A deep level study of high-temperature electron-irradiated n-type silicon // Solid State Phenomena.-2004.- V.95-96.- pp.367-372.
  • A.M.Kraitchinskii, L.I.Shpinar, V.B.Neimash, M.M.Kras’ko, V.V.Tishchenko, V.V.Voytovych. Study of Light scattering processes in silicon single crystals with nonhomogeneous distribution of impurities // Ukr.J.Phys.- 2004.-V.49, N2.- p.146-151.
  • M.M.Kras’ko, V.V.Voitovych, V.B.Neimash, A.M.Kraitchinskii. Effect of doping by lead on the formation of thermal defects in silicon with increased carbon // Ukr. J. Phys.- 2004.- V.49, N 7.- p. 691-694.
  • V.Neimash, M.Kras’ko, A.Kraitchinskii, V.Voytovych, V.Tishchenko, E.Simoen, J.M.Rafi, C.Claeys, J.Versluys, O. De Gryse, P.Clauws. DLTS studies of High-Temperature Electron Irradiated Cz n-Si // Phys.St.Sol.(a).-2004.- V.201, N 3.- p.509-516.
  • A.Kraitchinskii, M.Kras’ko, V.Neimash, L.Shpinar, V.Tishchenko, V.Voitovich, A.O.Goushcha, R.A.Metzler. Small angle light scattering and clusters of thermal donors in Si.// J. Appl.Phys.-2004.-V.96, N12.- pp. 7235-7238.
  • V.B.Neimash, M.M.Kras’ko, A.M.Kraitchinskii, A.G.Kolosyuk, V.V.Voitovych, E.Simoen, J.-M.Rafi, C.Claeys, J.Versluys, P.Clauws. Investigations by capacitance methods of n-Si irradiated by electrons at 450 oC // Ukr. J. Phys.- 2004.- V.49, N 8.- p. 779-784.
  • V.Yu.Povarchuk, V.B.Neimash, A.M.Kraitchinskii, V.V.Maslov, V.K.Nosenko, G.M.Zelins’ka. Effect of Ionizing Radiation on Magnetic Properties and Structure of Fe(80)Si(6)B(14) Amorphous Alloy // Ukr.J.Phys. 49, N1. P.90-93 (2004).
  • V.Neimash, M.Kras’ko, A.Kraitchinskii, V.Voytovych, O.Kabaldin, V.Tsmots, E.Simoen, C.Claeys. Oxygen precipitation and thermal donor formation in Pb- and C-doped n-type Czochralski silicon// in: High Purity Silicon VIII, Proceeding of the International Symposium, Proc.vol. 2004-2005.- p.286-293.
  • M.-L.David, E.Simoen, C.Claeys, V.Neimash, M.Kras’ko, A.Kraitchinskii, V.Voytovych, V.Tishchenko, J.F.Barbot. Radiation-induced deep levels in lead and tin doped n-type Czochralski silicon// in: High Purity Silicon VIII, Proceeding of the International Symposium, Proc.vol. 2004-2005.- p. 395-406.
  • В.Б. Неймаш, В.В. Войтович, A.M. Крайчинський, Л.І.Шпінар, М.М. Красько,В.М. Попов, А.П. Поканевич, М.I. Городиський,Ю.В. Павловський, В.М. Цмоць, О.М. Кабалдiн. Вплив легування ізовалентною домішкою свинцю на параметри n-кремнію // УФЖ.- 2005.- V.50, N 5.- С.492-496.
  • M. L. David, E. Simoen, C. Claeys, V. Neimash, M. Kras'ko, A. Kraitchinskii, V. Voytovych, A. Kabaldin and J. F. Barbot. Electrically active defects in irradiated n-type Czochralski silicon doped with group IV impurities // J. Phys.: Condens. Matter.- 2005.- Volume 17, Number 22.- p. S2255-S2266.
  • M.L. David, E. Simoen, C. Claeys, V. Neimash, M. Kras’ko, A. Kraitchinskii, V. Voytovych, A. Kabaldin and J.F. Barbot. On the effect of lead on irradiation induced defects in silicon // Solid State Phenomena.- 2005.- V.108-109.- P. 373-378.
  • В.Б. Неймаш, В.В. Войтович, М.М. Красько, А.М. Крайчинський,Ю.В. Павловський, О.М. Кабалдін, В.М. Цмоць. Радіаційне дефектоутворення в n-Si з домішками свинцю і вуглецю // УФЖ.- 2005.- V.40, N 11.- С.1273-1277.
  • Красько М.М., Крайчинський А.М., Неймаш В.Б., Колосюк А.Г., Шпінар Л.І. Про природу негативного відпалу часу життя нерівноважних носіїв заряду в опроміненому n-Si // УФЖ.- 2007.- Т.52, №2.- С.165-169.
  • Колосюк А.Г., Крайчинський А.М., Красько М.М., Неймаш В.Б., Войтович В.В., Поварчук В.Ю., Кабалдін О.М. Вплив температури при електронному опроміненні на дефектоутворення в n-Si // УФЖ.– 2007.– Т.52, №7.– С.685–689.
  • Колосюк А.Г., Крайчинський А.М., Красько М.М., Неймаш В.Б., Рогуцький І.С. Температурна залежність ефективності генерації вакансій в n-Si при опроміненні електронами з енергією 1 МеВ // УФЖ.– 2007.– Т.52, №9.– С.869–872.
  • И.П. Лисовский, И.З. Индутный, М.В. Муравская, В.В. Войтович, Е.Г. Гуле, П.Е. Шепелявый. Усиление фотолюминесценции структур с нанокристаллическим кремнием, стимулированное низко-дозовым ?-облучением // ФТП.–2008.–Т.42, вып.5.–С.591–594.
  • І.П. Лісовський, В.Г. Литовченко, М.В. Войтович, , В.П. Мельник, І. M. Хацевич, В.В. Войтович, В.Ю. Поварчук. Вплив ?-опромінання на оптичні властивості структур nc-Si/SiO2, легованих азотом //УФЖ.–2008.–Т.53, №10.–С.1001–1005.
  • Красько М.М., Неймаш В.Б., Крайчинський А.М., Колосюк А.Г., Кабалдін О.М. Вплив А- і Е-центрів на деградацію часу життя нерівноважних носіїв заряду в n?Si при ?-опроміненні // УФЖ.- 2008.- Т.53, N 7.- С.686–690.
  • В. Ю. Поварчук, В.Б. Неймаш, А. М. Крайчинський, В.К. Носенко, В.В. Маслов, Г.М. Зелінська. Вплив електронного і гамма-опромінення на структуру аморфних сплавів Fe-Si-B. // УФЖ – 2008 – Т.53 – №10 – С. 972 – 979.
  • И.П. Ворона, Н.П. Баран, СС. Ищенко, В.В. Рудько, Л.С. Чумакова, В.Ю. Поварчук. СО2– - радикалы в синтетическом гидроксилапатите. // ФТТ. – 2008. – Т.50. – вып. 10 – С. 1779 – 1782.
  • І.П. Ворона, С.С. Іщенко, М.П. Баран, В.В. Рудько, І.В. Затовський, В.Ю. Поварчук. Радіаційно-стимульоване утворення СО2– - радикали в біологічних апатитах // УФЖ. – 2008. – Т.53. – №12 – С. 1186 –1190.
  • В.М. Цмоць, П.Г. Литовченко, Ю.В. Павловський, В.В. Войтович, М.М. Лучкевич. Дослідження магнітних, мікромеханічних та структурних змін у кристалах кремнію з ізовалентними домішками, після їх термообробки в області 700-1100 оС. // Журнал фізичних досліджень.-2008.-Т.12, N 4.
  • І.П. Лісовський, М.В. Войтович, В.Г. Литовченко, І.М. Хацевич, В.В. Войтович, Б.О. Данильченко. Дослідження процесу відпалу радіаційних дефектів в плівкових структурах nc-Si/SiO2. // УФЖ.- 2009. – Т.54, №10. – С.1038-1043.
  • І.П. Лісовський, В.Г. Литовченко, М.В. Войтович, Б.О. Данильченко, В.В. Войтович, В.Ю. Поварчук, І.М. Хацевич, П.Є. Шепелявий. Радіаційно-термічне підсилення люмінесценції плівкових структур nc-Si/SiO2 // Матеріали ХІ Міжнародної конференції "Фізика і Технологія Тонких Плівок та Наносистем" (МКФТТПН-ХІІ).– Івано-Франківськ, 2009.–Т.1.–С.255–256.
  • М.М. Красько, А.М. Крайчинський, А.Г. Колосюк, В.Б. Неймаш, В.А. Макара, Р.В. Петруня, В.Ю. Поварчук, В.В. Войтович. Вплив інтенсивності електронного опромінення на утворення і відпал VO-центрів у кремнії при високих температурах // УФЖ.- 2010.- Т.55, № 7.- С.793–800.
  • Anatolii Kraitchinskii, Andrii Kolosiuk, Mykola Kras’ko, Volodymyr Neimash, Vasul Voitovych, Volodymyr Makara, Ruslan Petrunya and Sergii Putselyk. Vacancy generation in silicon in the temperature range 100–633K under electron irradiation // Radiation Effects and Defects in Solids.- 2011.- V.166, № 6.- P.445–450.
  • M. Kras’ko, A. Kraitchinskii, A. Kolosiuk, V. Neimash, V. Voitovych, V. Makara, R. Petrunya and V. Povarchuk. Accumulation of VO Defects in n-Si at High-temperature Pulse Electron Irradiation: Generation and Annealing Kinetics, Dependence on Irradiation Intensity // Solid State Phenomena.- 2011.- V.178-179.- P.404-409.
  • А.М. Крайчинський, М.М. Красько, А.Г. Колосюк, Р.В. Петруня, В.Ю. Поварчук, В.В Войтович, В.Б. Неймаш, В.А. Макара, Р.М. Руденко. Mеханізм відпалу VO дефектів в n-Si при високотемпературному імпульсному електронному опроміненні // УФЖ.- 2011.- Т.56, № 9.- С.926–932.
  • Войтович В.В., Неймаш В.Б., Красько Н.Н., Колосюк А.Г., Поварчук В.Ю., Руденко Р.М., Макара В.А., Петруня Р.В., Юхимчук В.О., Стрельчук В.В. Влияние примеси Sn на оптические и структурные свойства тонких кремниевых пленок // ФТП.- 2011.-Т. 45, В. 10.- С. 1331-1335.

  • SEM-image o surface of nano-crystal getero-structure Si-Sn-Si

  • Sample of radiation cross-linked hydrogel for medical dressings