Склад відділу
На даний час у відділі працює 19 співробітників, з яких 4 доктори (О.Г. Сарбей, В.М. Бондар, С.І. Шаховцова, В.М. Порошин) і 8 кандидатів наук (О.К. Фролова,В.В. Вайнберг, М.М. Винославський, А.В. Кравченко, С.В. Чирчик, М.Й. Слуцький, О.В. Турчин, В. В.Коваленко).
Головні напрямки наукових досліджень
Кінетичні та оптичні явища в напівпровідниках зі складною структурою зон та гетероструктурах, пов’язані з розігрівом електронів в сильних електричних або інфрачервоних світлових полях.
Явища просторової самоорганізації в системах нерівноважних носіїв заряду в напівпровідникових кристалах та гетероструктурах.
Інвертування розподілу носіїв заряду та вивчення електромагнітного випромінювання в ІЧ області спектру в напівпровідниках та гетероструктурах.
Нелінійні оптичні явища, пов’язані з вільними носіями заряду в напівпровідниках та гетероструктурах.
Оптичні властивості нанорозмірних композитів
Найважливіші досягнення
Разом із вченими Німецької Академії Наук та співробітниками Інституту напівпровідників АН УРСР відкрито та досліджено явище багатозначної анізотропії електропровідності гарячих електронів у багатодолинних напівпровідниках (диплом на відкриття № 284, 1984 р.)
Показано, що порушення рівноваги в системі електронів багатодолинного напівпровідника при їх розігріві приводить до незвичних характеристик усіх кінетичних явищ, зокрема, до появи великого лінійного по магнітному полю магнітоопору.
Виявлено новий тип дисипативних структур в біполярній плазмі багатодолинного напівпровідника - поперечні високопольові та поздовжні струмові термодифузійні автосолітони.
У напівпровідниках з виродженою валентною зоною виявлено новий механізм одночастинкового неекранованого розсіяння світла вільними дірками, зумовлений розсіянням на флуктуаціях густини квадрупольного моменту при внутрішньопідзонних переходах.
Встановлено, що в напівпровідниках з виродженою валентною зоною залежність плазмонної частоти від концентрації носіїв є більш слабкою ніж очікувана коренева залежність і показано, що природа ефекту зумовлена внеском у діелектричну проникність кристалу переходів між підзонами важких і легких дірок.
Експериментально доведено існування в багатодолинних напівпровідниках анізотропії та нелінійності показника заломлення й коефіцієнта поглинання, пов'язаних з перерозподілом електронів між еквівалентними долинами внаслідок їхнього розігріву в полі світлової хвилі.
В рідких кристалах здійснена стабілізація низькочастотних нестійкостей високочастотним електричним полем
В пористому кремнії виявлено двопроменезаломлення в видимій області спектру, яке по порядку величин таке ж, як в кристалі кварцу.
Виявлена залежність енергії зв’язку акцепторної домішки та радіусу локалізації носіїв на домішці від ії положення у квантовій ямі.
