Склад відділу
У відділі працюють 29 співробітників, в тому числі 4 доктори та 9 кандидатів наук.
Головні напрямки наукових досліджень
дослідження механізмів впливу радіації на фізичні характеристики напівпровідників та металів;
дослідження електронних станів у нано-розмірних об’єктах;
розробка радіаційних технологій керування властивостями матеріалів та електронних приладів;виконання цільових інженерно-технічних проектів;
підготовка спеціалістів в області фізики твердого тіла.
Найважливіші досягнення
1975 – 1993 Започатковано та розвинуто дослідження процесів структурних та фазових переходів в полях потужного гама-випромінювання 60Со. Зокрема, встановлено зниження температур фазових переходів порядок-безпорядок.
1976 – 1984 Розвинуто теорію кінетичних явищ в напівпровідниках з великомасштабними неоднорідностями.
1979 – 2000 Досліджено процеси утворення радіаційних дефектів в кремнії при імпульсному електронному опроміненні в широкому діапазоні температур. Зокрема, знайдено порогову енергія утворення дефектів, функцію розподілу пар Френкеля по відстанях між компонентами, верхню межу часу життя вакансій та міжвузлових атомів.
1980 – 1990 Розроблено та впроваджено радіаційну технологію у виробництво напівпровідникових дискретних приладів та мікросхем.
1982 – 2006 Досліджено вплив рідкісноземельних та ізовалентних домішок на трансформацію фізичних властивостей кремнію при високоенергетичному опроміненні та термообробках. Зокрема, розкрито роль деформаційної взаємодії між дефектами у механізмах впливу ядерної радіації на оптичні та електрофізичні характеристики напівпровідників.
1984 Показано, що міжвузловинні атоми, утворенні при опроміненні кремнію, можуть переходити в солітонний стан, що пояснює наддалеку міграцію цих атомів при низькій температурі.
1986 Побудовано теорію термодифузії дефектів в напівпровідниках.
1986 – 1995 Досліджено особливості електронних станів дефектів з негативною кореляційною енергією в кристалічних та халькогенідних склоподібних напівпровідниках.
1992 Виявлено явище магнітного упорядкування кооперативного типу точкових дефектів кристалічної структури кремнію радіаційного та термічного походження.
1992 – 2002 Теоретично обґрунтовано та експериментально доведено існування мікро- та нано-розмірних неоднорідностей розподілу домішки кисню у кремнії.
1998 – 2002 Розроблено фізичні засади діагностики просторової однорідності напівпровідникових кристалів у масштабі 10-6 ? 10-3 см на основі аналізу механізмів колективного впливу точкових радіаційних і термічних дефектів структури на оптичні, електричні та магнітні параметри матеріалу.
2000 – 2008 Розвинуто нові напрямки досліджень з кінетики гарячих носіїв заряду в квантових структурах на основі GaN та GaAs.
2006 – 2007 Експериментально виявлено вплив фононів на анігіляцію і розпад пар Френкеля, утворених радіацією в напівпровідниках.
2008 Розпочато дослідження фізичних властивостей вуглецевих нанотрубок в широкому діапазоні температур.
У відділі виконано 5 докторських і 23 кандидатських дисертацій.
Роботи співробітників відділу відзначено:
Державною премією СРСР (В.І.Шаховцов),
Державною премією УРСР (В.І.Шаховцов, І.І.Ясковець),
Премією імені І.Пулюя НАН України (Б.О.Данильченко).
Основні публікації
И.Д.Конозенко, М.П.Круликовская, Б.А.Данильченко. Структурные и фазовые изменения в металлах и сплавах, закристаллизованных в потоке гамма-квантов // УФН, 161, 149 (1991).
Л.И.Шпинар, И.И.Ясковец. К теории проводимости, эффекта Холла в неоднородных полупроводниках // ФТТ, 26, 1725 (1984).
Л.И.Шпинар, И.И.Ясковец. Особенности проводимости полупроводников, обусловленные дефектами с сильным электрон-решеточным взаимодействием // ФТП, 22, №3 (1988).
Р.С.Антоненко, Ю.В.Карпов, В.И.Шаховцов, В.Л.Шиндич, Л.И.Шпинар, И.И.Ясковец. Электрофизические свойства облученного кремния с примесью гадолиния // ФТП, 12, 1707 (1978)
А.И.Войцеховский, А.Н.Крайчинский, Л.В.Мизрухин, В.И.Шаховцов. Образование дефектов в n-Ge при облучении мощными электронными импульсами. //Письма в ЖТФ, 7, 1029 (1981).
А.Н.Крайчинский, Л.В.Мизрухин, В.И.Шаховцов. Распределение пар Френеля по расстояниям в облученных кремнии и германии// ФТП, 17, 437 (1983).
А.М.Крайчинський Л.В.Мізрухин, В.І.Шаховцов. Солітонний стан міжвузлового атома// Доповіді Академії наук УРСР. Серія «А», №5(А), 63 (1984).
А.Н.Крайчинский, Л.В.Мизрухин, Н.И.Осташко, В.И.Шаховцов. Время жизни первичных радиационных дефектов в кремнии // ЖТФ, 58, 1180 (1988).
А.Н.Крайчинский, Л.В.Мизрухин, Н.И.Осташко, В.И.Шаховцов. Рекомбинационные и компенсирующие дефекты в n-Si при облучении одиночными импульсами большой интенсивности // ФТП, 22,.215 (1988).
А.Н.Крайчинский, В.Б.Неймаш, Т.Р.Саган, В.М.Сирацкий, В.М.Цмоць, В.И.Шаховцов, В.Л.Шиндич. Радиационное дефектообразование в кремнии, термообработанном при 1050 С // УФЖ, 34, 1071 (1977).
А.Н.Крайчинский, Н.И.Осташко. О времени жизни первичных радиационных дефектов в кремнии. В сб.: Труды Международной конференции по радиационному материаловедению. Харьков, ХФТИ АН УССР, 4, 149 (1990).
И.В.Жалко-Титаренко, А.Н.Крайчинский, Н.И.Осташко, И.С.Рогуцкий. Эффективность введения радиационных дефектов в кремнии в диапазоне температур 40-200 К // Письма в ЖТФ, 17, 74 (1991).
И.В.Жалко-Титаренко, А.Н.Крайчинский, Н.И.Осташко, И.С.Рогуцкий. Образование радиационных дефектов в кремнии в диапазоне температур 10-300 К при электронном облучении // ФТП, 27, 1698 (1993).
А.М.Крайчинський, І.С.Рогуцький. Порогова енергія утворення радіаційних дефектів в кремнії // УФЖ, 42, 1271 (1997).
В.Б.Неймаш, В.М.Сирацкий, А.Н.Крайчинский, Е.А.Пузенко. Электрические свойства кремния, термообработанного при 530 С //ФТП, 32, 1049 (1998).
В.Б.Неймаш, Е.А.Пузенко, А.Н.Кабалдин, А.Н.Крайчинский, Н.Н.Красько. О природе зародышей для образования термодоноров в кремнии (или еще один вариант ускоренной диффузии кислорода). ФТП, 33, 1423 (1999).
V.B.Neimash, O.O.Puzenko, O.M.Kabaldin, A.M.Kraitchinskii, M.M.Kras’ko. C.Claeys, E.Simoen. The nature of precursors for the thermal donor formation in silicon. Solid State Phenomena, 69-70, 351 (1999).
E. Simoen, C. Claeys, V.B. Neimash, A. Kraitchinskii, M. Kras’ko, O. Puzenko, A. Blondeel and P. Clauws. Deep levels in high-energy proton-irradiated tin-doped n-type Czochralski silicon // Applied Phys. Lett. , 76, 2838 (2000).
В.Б.Неймаш, А.М.Крайчинський, М.М.Красько, О.О.Пузенко, О.М.Кабалдін. Вплив домішки олова на генерацію й відпал низькотемпературних термодонорів в n-Si // УФЖ., 45, 342 (2000).
C.Claeys, E.Simoen, V.Neimash, A.Kraitchinskii, M.Kras’ko, O.Puzenko, A.Blondeel, and P.Clauws. Tin Doping of Silicon for Controlling Oxygen Precipitation and Radiation Hardness // J.Electrochem.Soc., 148, G738 (2001).
В.Б.Неймаш, М.М.Красько, А.М.Крайчинський. Генерація радіаційних і термічних дефектів у кремнії при “гарячому” електронному опромінюванні // УФЖ., 47, 50 (2002).
E.Simoen, J.M.Rafi, C.Claeys, V.Neimash, A.Kraitchinskii, M. Kras’ko, V.Tishchenko, V.Voitovych, J.Versluys and P.Clauws. Deep Levels in High-Tempersture 1 MeV Electron-Irradiated n-Type Chochralski Silicon // Jpn.J.Appl.Phys., 42, 7184 (2003).
V.Neimash, M.Kras’ko, A.Kraitchinskii, V.Voytovych, V.Tishchenko, E.Simoen, J.M.Rafi, C.Claeys, J.Versluys, O. De Gryse, P.Clauws. DLTS studies of High-Temperature Electron Irradiated Cz n-Si// Phys.St.Sol.(a), 201, P.509 (2004).
V.Yu.Povarchuk, V.B.Neimash, A.M.Kraitchinskii, V.V.Maslov, V.K.Nosenko, G.M.Zelins’ka. Effect of Ionizing Radiation on Magnetic Properties and Structure of Fe(80)Si(6)B(14) Amorphous Alloy // Ukr.J.Phys. 49, 90 (2004).
A. Kraitchinskii, M. Kras'ko, V. Neimash, L. Shpinar, V. Tishchenko, V. Voitovich, A. O. Goushcha, and R. A. Metzler. Small angle light scattering and clusters of thermal donors in Si. Journal of Applied Physics, 96, 7235 (2004).
В.Б. Неймаш, В.В. Войтович, М.М. Красько, A.M. Крайчинський, М.I. Городиський, Ю.В. Павловський, О.М. Кабалдiн, В.М. Цмоць. Радіаційне дефектоутворення в n-Si з домішками свинцю і вуглецю // УФЖ., 50, 1273 (2005).
M.-L.David, E.Simoen, C.Claeys, V.Neimash, M.Kras’ko, A.Kraitchinskii, V.Voytovych, A.Kabaldin, J.F.Barbot. On the effect of lead on irradiation induced defects in silicon // Solid State Phenomena, 108-109, 373 (2005).
A.G.Kolosyuk, A.M.Kraitchinskii, M.M.Kras’ko, V.B.Neimash, I.S.Rogutskii. Temperature Dependence of the Efficiency of Vacancy Generation in n-Si at the 1 MeV Electron Irradiation // Ukrainian Journal of Physics, 52, 868 (2007).
B.A.Danilchenko, S.E.Zelensky, E.Drok, A.E.Belyaev, V.A.Kochelap, H.Luth, S.A.Vitusevich. Enhancement by electric field of high-speed photoconductivity in AlGaN/GaN heterostructures // Appl. Phys. Letts., 90, 152102 (2007).
B.A.Danilchenko, T.Paszkiewisz, S.Wolski, A.Jezowski, T.Plackowski. Heat capacity and phonon mean free path of wurtzite GaN // Appl. Phys. Letts., 89, 061901 (2006).
A.Jezowski, B.A.Danilchenko, M.Bockowski, I.Grzegory, S.Krukowski, N.Suski, T.Paszkiewisz. Thermal conductivity of GaN crystals in 4,2-300 K range // Solid State Commun., 128, 69 (2003).
B.A.Danilchenko, I.A.Obukhov, T.Paszkiewisz, S.Wolski, A.Jezowski. On the upper limit of the thermal conductivity GaN crystals // Solid State Commun., 144, 114 (2007).
L. I. Khirunenko, O. O. Kobzar, Yu. V. Pomozov, M. G. Sosnin, M. O. Tripachko Peculiarities of vacancy-related defects formation in Si doped with tin // Physica B: Condensed Matter, 340-342, 541 (2003).
L.I. Khirunenko, Yu.V. Pomozov, M.G. Sosnin, A. Duvanskii, V.J.B. Torres, J. Coutinho, R. Jones, P.R. Briddon, N.V. Abrosimov, H. Riemann. Interstitial carbon-related defects in Si1?xGex alloys // Physica B: Condensed Matter, 401-402, 200 (2007).
